[发明专利]一种IGBT模块的电-热-老化结温计算模型建立方法有效

专利信息
申请号: 201610823294.7 申请日: 2016-09-14
公开(公告)号: CN106443400B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 李玲玲;许亚惠;李志刚;齐福东;刘伯颖;周亚同 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01N25/20
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 王利文
地址: 300401 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种IGBT模块的电‑热‑老化结温计算模型建立方法,其主要技术特点是:测取不同老化程度时IGBT模块的电热参数、获取三维关系曲面并建立不同老化程度时电热参数数据表;建立IGBT模块的电模型、IGBT模块的热网络模型,并将IGBT模块的电模型计算所得功率损耗以电流源形式通入IGBT模块的热网络模型,并将热网络模型计算的结温实时反馈至电模型,完成IGBT模块的电‑热耦合模型的建立;对IGBT模块进行老化状态评估;进行IGBT模块的结温计算。本发明针对不同的老化进程获取对应的电热参数,并将这些电热参数代入电‑热耦合模型中进行结温计算,即根据模块的老化程度实时动态改变电‑热耦合模型参数,从而实现考虑模块老化程度的结温预测功能。
搜索关键词: 一种 igbt 模块 老化 计算 模型 建立 方法
【主权项】:
1.一种IGBT模块的电‑热‑老化结温计算模型建立方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1、测取不同老化程度时IGBT模块的电热参数、获取三维关系曲面Vce=f(Tj,Ic)并建立不同老化程度时电热参数数据表,其中,Tj为结温,Ic为集电极电流;测取不同老化程度时IGBT模块的电热参数具体方法为:对IGBT模块进行ΔTc功率循环加速老化试验,并定义IGBT模块失效标准为其热阻相对于初始值增大20%,当测得的IGBT模块热阻增大20%时停止老化试验;在功率循环加速老化试验进程中,每功率循环100次时测取一次IGBT模块的开通能耗Eon、关断能耗Eoff、瞬态热阻抗曲线以及三维关系曲面Vce=f(Tj,Ic),其中IGBT模块的开通能耗Eon和关断能耗Eoff采用IGBT参数测试系统进行测取;瞬态热阻抗采用IGBT模块热阻测试仪进行测取;获取三维关系曲面Vce=f(Tj,Ic)的具体方法为:将IGBT模块放入恒温箱并以一定间隔值设置恒温箱的温度,在不同温度下达到热平衡后,给IGBT模块通以幅值以一定间隔值变化的单脉冲触发电流进行单脉冲测试,测取不同结温和集电极电流下IGBT模块的通态压降并记录,最后基于MATLAB处理测取的结温、集电极电流和通态压降数据,画出Vce=f(Tj,Ic)三维关系曲面;建立不同老化程度时电热参数数据表的方法为:通过对IGBT模块不同老化程度时的瞬态热阻抗曲线进行拟合得出其热阻、热容参数,然后将不同老化程度时IGBT模块的开通能耗Eon、关断能耗Eoff、热阻、热容以及三维关系曲面Vce=f(Tj,Ic)存储在不同老化程度时电热参数数据表;所述瞬态热阻抗曲线表示为:式中,Zth、Ri和Ci分别为IGBT模块的等效热阻抗、热阻和热容;n为拟合阶数,n取4;步骤2、建立IGBT模块的电模型、IGBT模块的热网络模型,并将IGBT模块的电模型计算所得功率损耗以电流源形式通入IGBT模块的热网络模型,并将热网络模型计算的结温实时反馈至电模型,从而完成IGBT模块的电‑热耦合模型的建立;其中,所述IGBT模块的电模型建立方法为:将开关周期内IGBT模块的平均通态损耗Pc设为:Pc=Vce·ic·δ(t)式中,Vce为IGBT模块的通态压降;ic为IGBT模块的集电极电流;δ(t)为IGBT模块的占空比;对IGBT模块的输出特性曲线进行近似线性拟合,Vce近似表示为:Vce=Vceo+ic·rce式中,Vceo为IGBT模块的阈值压降;rce为IGBT模块的导通电阻;Vceo与rce均随温度呈线性变化趋势,分别近似表示为:式中,Vceo_298.15K和rce_298.15K分别为298.15K时IGBT模块的阈值压降和导通电阻;Tj为IGBT模块的结温;分别为温度‑阈值压降和温度‑导通电阻线性拟合曲线的斜率;将开关周期内IGBT模块的平均通态损耗Pc设为:一个开关周期内IGBT模块的平均开通损耗Pon与平均关断损耗Poff表示为:其中,Eon与Eoff分别为IGBT模块测试条件下的开通能耗与关断能耗,通过器件技术手册中查表获取;Udc为IGBT模块直流电压;UN和IN分别为IGBT模块开关能耗在测试条件下的直流电压和通态电流,均从IGBT技术手册获取;分别为IGBT栅极电阻Rg对其开通能耗与关断能耗的影响系数,根据器件技术手册中的EonEoff‑Rg曲线获取;为IGBT开关能耗的温度系数,一般根据经验取值;IGBT开关周期内平均功率损耗PI为平均通态损耗Pc、平均开通损耗Pon与平均关断损耗Poff之和,得到IGBT模块的电模型如下:PI=Pc+Pon+Poff;所述IGBT模块的热网络模型的建立方法为:对IGBT模块建立四阶RC热网络,将导热脂加散热器作为整体建立一阶RC热网络;IGBT模块的导热脂加散热器的RC参数通过下式获取:式中,Zth、Ri和Ci分别为IGBT模块的等效热阻抗、热阻和热容;n为拟合阶数,n取4;导热脂加散热器的热阻抗曲线通过试验测量获取,具体方法为:给IGBT模块通入恒定电流,IGBT模块将产生恒定功率p,从通入电流开始实时测量IGBT模块的壳温Tc和环境温度Ta,导热脂加散热器的热阻抗Zth,ca近似表示为:Zth,ca=(Tc‑Ta)/p;步骤3:对IGBT模块进行老化状态评估,具体方法为:在结温Tj1与集电极电流Ic1下测取IGBT的饱和压降Vce1,并根据步骤1得到的不同老化程度时IGBT模块三维标准曲面Vce=f(Tj,Ic),对比得出IGBT模块的老化状态;步骤4:进行IGBT模块的结温计算,具体方法为:根据步骤3得出的IGBT模块老化状态及步骤1建立的不同老化程度时电热参数数据表,获取IGBT模块当前的电热参数,并设置电‑热耦合模型的电热参数和工况下的仿真参数,进行实时仿真计算IGBT模块的结温,得出工况下IGBT的结温变化过程。
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