[发明专利]一种单晶炉二次加料方法

摘要

本发明提供了一种单晶炉二次加料方法，该方法依次包括如下步骤：1）获得边皮；2）在边皮上制作连接孔；3）制作连接销；4）对连接销和边皮进行清洗；5）边皮和连接销相连形成边皮组件；6）对连接后的边皮和连接销进行称重；7）将连接装置分别与籽晶重锤和边皮组件连接；8）将连接好的边皮组件升入单晶炉副室中；9）将边皮组件降至主炉室的硅液中；10）边皮组件熔化结束；11）进行拉晶。本发明提供的单晶炉二次加料方法，减少了边皮料破碎环节，从而避免了破碎时对硅料的污染；同时，本二次加料方法在加料的过程中溅料发生的概率极低，为后续拉晶成晶和晶棒品质提供保障。

主权项

一种单晶炉二次加料方法，其特征在于：该方法依次包括如下步骤：1）获得边皮；选取单晶棒，将单晶棒边皮切下，切下边皮的单晶棒呈四方体状；2）在边皮上制作连接孔；在边皮的上部和下部均设置连接孔，上部的连接孔与边皮上端之间的距离为20mm～40mm；下部的连接孔和边皮下端之间的距离为20～40mm；3）制作连接销；选用单晶硅材质的连接销，连接销的直径小于连接孔的直径；4）对连接销和边皮进行清洗；5）边皮和连接销相连形成边皮组件；在各个边皮的上部和下部分别通过连接销连接在一起形成边皮组件；6）对连接后的边皮和连接销进行称重；7）将连接装置分别与籽晶重锤和边皮组件连接；8）将连接后的边皮组件和连接装置升入单晶炉副室中；其中边皮组件上升的速度小于10mm/s；9）将边皮组件降至主炉室的硅液中；将悬挂于单晶炉副室中的边皮组件下降至主炉室硅液中，边皮组件边熔化边下降；10）边皮组件熔化结束；边皮组件熔化至位于边皮上部的连接孔处时，将连接装置从主炉室中取出，对剩余未熔的边皮组件称重，计算总的边皮投入量；11）进行拉晶，根据总的边皮投入量设定单晶炉运行参数，在单晶炉中进行拉晶。