[发明专利]一种纳米晶及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610824292.X | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106430276B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 雷磊;吴若桢;肖珍;徐时清 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C09K9/00 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人： | 柯奇君 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机纳米材料领域。一种纳米晶，化学表达式是Eu/TbGd2O2S。该纳米晶具有依赖激发波长的光学性能，有望应用于防伪标记领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米晶的制备方法，其特征在于纳米晶化学表达式是Eu/Tb: Gd2O2S；在前驱反应液中加入用于改变纳米晶生长过程的Y3+和Sr2+；加入Y3+和Sr2+之后，继续加入硫粉和油胺，在加入硫粉以后将体系抽真空，纳米晶生长温度高于290 ℃。
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