[发明专利]一种共形承载天线远场功率方向图的区间分析方法有效
申请号: | 201610824700.1 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106252873B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 李鹏;许万业;王从思;段宝岩;王伟;宋立伟;周金柱;李娜 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01Q1/42 | 分类号: | H01Q1/42;H01Q25/00;G06F17/50 |
代理公司: | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人: | 张恒阳 |
地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明涉及一种共形承载天线远场功率方向图的区间分析方法;其特征是:至少包括如下步骤:第一步,确定复合材料天线罩材料厚度的误差区间;第二步,引入变量:X=cos(Vd),Y=sin(Vd),计算变量X和Y的上下边界分别为;第三步,计算传输复数矩阵 |
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搜索关键词: | 一种 承载 天线 功率 方向 区间 分析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种共形承载天线远场功率方向图的区间分析方法,其特征是:至少包括如下步骤:1)确定防护结构中复合材料厚度的误差区间;实际厚度所处的区间为d∈[dinf;dsup],角标inf和sup分别表示区间的上下边界,d为材料实际厚度,d0为理想设计厚度;2)确定防护结构中复合材料参数的误差区间:实际相对介电常数的所在区间为ε′∈[ε′inf;ε′sup],磁损耗角的区间为tanδ∈[(tanδ)inf;(tanδ)sup],此时参数ε=ε′(1‑jtanδ)的区间为:![]()
因为该参数为复数量,其实部和虚部的区间分别给出,用上角标Re和Im分别表示;3)确定变量[Vd]区间的上下边界;4)引入变量:X=cos(Vd),Y=sin(Vd),计算变量X和Y区间的上下边界分别为:
5)计算传输复数矩阵
区间的上下边界:
其中Ainf/sup=Cinf/sup=Xinf/sup(BRe)inf=min{(jZ1)Re·(YRe)inf,(jZ1)Re·(YRe)sup}‑max{(jZ1)Im·(YIm)inf,(jZ1)Im·(YIm)sup}(BRe)sup=max{(jZ1)Re·(YRe)inf,(jZ1)Re·(YRe)sup}‑min{(jZ1)Im·(YIm)inf,(jZ1)Im·(YIm)sup}(BIm)inf=min{(jZ1)Re·(YIm)inf,(jZ1)Re·(YIm)sup}+min{(jZ1)Im·(YRe)inf,(jZ1)Im·(YRe)sup}(BIm)sup=max{(jZ1)Re·(YIm)inf,(jZ1)Re·(YIm)sup}+max{(jZ1)Im·(YRe)inf,(jZ1)Im·(YRe)sup}(CRe)inf=min{(j/Z1)Re·(YRe)inf,(j/Z1)Re·(YRe)sup}‑max{(j/Z1)Im·(YIm)inf,(j/Z1)Im·(YIm)sup}(CRe)sup=max{(j/Z1)Re·(YRe)inf,(j/Z1)Re·(YRe)sup}‑min{(j/Z1)Im·(YIm)inf,(j/Z1)Im·(YIm)sup}(CIm)inf=min{(j/Z1)Re·(YIm)inf,(j/Z1)Re·(YIm)sup}+min{(j/Z1)Im·(YRe)inf,(j/Z1)Im·(YRe)sup}(CIm)sup=max{(j/Z1)Re·(YIm)inf,(j/Z1)Re·(YIm)sup}+max{(j/Z1)Im·(YRe)inf,(j/Z1)Im·(YRe)sup};6)引入变量T1=A+B/Z∞+CZ∞+D,并计算其区间的上下边界,(T1Re)inf=(ARe)inf+(BRe)inf/Z∞+(CRe)inf·Z∞+(DRe)inf(T1Re)sup=(ARe)sup+(BRe)sup/Z∞+(CRe)sup·Z∞+(DRe)sup(T1Im)inf=(AIm)inf+(BIm)inf/Z∞+(CIm)inf·Z∞+(DIm)inf(T1Im)sup=(AIm)sup+(BIm)sup/Z∞+(CIm)sup·Z∞+(DIm)sup其中,
7)计算变量T12区间的上下边界;
(T12Re)sup=max{((T1Re)inf)2,((T1Re)sup)2}
(T12Im)sup=max{((T1Im)inf)2,((T1Im)sup)2}8)计算透射系数T区间的上下边界:
9)计算天线表面单个单元的远场场值x分量Fxi的区间上下边界,10)计算天线表面全部单元场值x分量Fx的区间上下边界:![]()
n是天线表面离散单元的数量;11)计算功率方向图区间上下边界Px(θ,φ′)=|Fx(θ,φ′)|2=|FxRe|2+|FxIm|2,其上边界为:
当
时,下边界为
当
时,下边界为
当
且
时,下边界为Pxinf(θ,φ)=0其余情况下,其下边界为:
所述的步骤3)确定变量[Vd]区间的上下边界包括:当存在厚度误差区间时,其边界为:(VdRe)inf=min((VRe)dinf,(VRe)dsup)(VdRe)sup=max((VRe)dinf,(VRe)dsup)(VdIm)inf=min((VIm)dinf,(VIm)dsup)(VdIm)sup=max((VIm)dinf,(VIm)dsup)当存在材料参数误差区间时,其边界为:![]()
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其中,
ε=ε′(1‑jtanδ),γ为罩体表面入射角,λ为波长,下角标H和V分别表示电磁波的水平和垂直极化分量;所述的步骤9)计算天线表面单个单元的远场场值x分量Fxi的区间上下边界通过如下算法完成,![]()
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其中,![]()
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Eb和Et为天线罩内表面电场和磁场在切平面上的分量,![]()
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天线罩内表面的电场Ein和磁场Hin为已知量,由天线基本尺寸参数可计算得到,其分量形式:![]()
nb和tb分别标示天线罩外表面切平面上两个互相垂直的分量,下标i表示天线表面离散后的第i个单元,ρ,φ,θ是球坐标下的半径、方位角和俯仰角。
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