[发明专利]形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构有效
| 申请号： | 201610824797.6 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106409669B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | W·莱纳特;R·鲁普;F·J·桑托斯罗德里格斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/304;H01L23/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成晶片结构的方法、形成半导体器件的方法和晶片结构。提供一种生产半导体器件和晶片结构的方法。该方法包括：将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)以形成被部分支撑的晶片(100，200)；以及进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶片 结构 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，包括：‑将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；‑沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅并且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；‑形成被部分支撑的晶片(100，200)，包括在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)；以及‑进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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