[发明专利]包括鳍型场效应晶体管结构的半导体器件

摘要

一种半导体器件可以包括在基板上的场绝缘膜以及在基板上的具有特殊材料的鳍型图案，该鳍型图案具有第一侧壁和相反的第二侧壁。鳍型图案可以包括鳍型图案的从场绝缘膜的上表面突出的第一部分以及鳍型图案的设置在第一部分上的第二部分。鳍型图案的第三部分可以设置在第二部分上，在该处第三部分可以被鳍型图案的顶部倒圆表面覆盖，并且第一侧壁可以具有跨越第一、第二和第三部分的起伏轮廊。

主权项

一种半导体器件，包括：第一鳍型图案，在基板上并且具有第一侧壁以及相反的第二侧壁；以及场绝缘膜，在所述基板上并且围绕所述第一鳍型图案的所述第一侧壁的一部分以及所述第一鳍型图案的所述第二侧壁的一部分，其中所述第一鳍型图案包括由所述场绝缘膜围绕的下部分、向上突出超过所述场绝缘膜的上表面的上部分，边界线被限定在所述第一鳍型图案的所述上部分与所述第一鳍型图案的所述下部分之间，在所述边界线处，所述场绝缘膜的所述上表面与所述第一鳍型图案相交，所述第一鳍型图案的所述上部分和所述第一鳍型图案的所述下部分包括相同的材料，所述第一鳍型图案的所述第一侧壁包括从所述基板的上表面以连续顺序定位的第一点、第二点和第三点，在所述第二点处跨所述第一鳍型图案的宽度大于在所述第一点处跨所述第一鳍型图案的宽度以及在所述第三点处跨所述第一鳍型图案的宽度，以及在所述第二点处跨所述第一鳍型图案的宽度小于所述边界线的长度。