[发明专利]背照式图像传感器的制备方法

摘要

本发明揭示了一种背照式图像传感器的制备方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一面以及与所述第一面相背的第二面；在所述半导体衬底的第一面上制备第一外延半导体层、第二外延半导体层；在所述光电二极管区域上的第二外延半导体层中形成第一离子注入区，在所述隔离区域上的第二外延半导体层中形成第一隔离结构，所述第一离子注入区位于背离所述第一外延半导体层的一侧的表面；对所述半导体衬底的第二面进行减薄，直至暴露出所述第一外延半导体层；在暴露出的所述第一外延半导体层中制备第二隔离结构。本发明的背照式图像传感器的制备方法可以提高红外光的量子效率，同时改善蓝光的量子效率。

主权项

1.一种背照式图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有第一面以及与所述第一面相背的第二面，所述半导体衬底包括光电二极管区域以及隔离区域；在所述半导体衬底的第一面上制备第一外延半导体层，所述第一外延半导体层为第一掺杂类型；在所述第一外延半导体层背离所述半导体衬底的一侧制备第二外延半导体层；在所述光电二极管区域上的第二外延半导体层中形成第一离子注入区，在所述隔离区域上的第二外延半导体层中形成第一隔离结构，所述第一离子注入区为第二掺杂类型，所述第一离子注入区位于背离所述第一外延半导体层的一侧的表面；对所述半导体衬底的第二面进行减薄，直至暴露出所述第一外延半导体层，或将所述半导体衬底减薄至一特定厚度；以及在暴露出的所述第一外延半导体层中制备第二隔离结构，所述第二隔离结构与所述第一隔离结构的位置相对应。