[发明专利]图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610826344.7 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106229324A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘远良;余兴 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种图像传感器及其制备方法，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底包括光电二极管区域以及隔离区域；选择性部分所述硅衬底，在所述光电二极管区域内形成沟槽；在所述沟槽内填充半导体层，所述半导体层的禁带宽度小于所述硅衬底的禁带宽度，所述半导体层用于形成光电二极管。其中，在所述光电二极管区域内形成半导体层，所述半导体层的禁带宽度小于硅的禁带宽度，能够更好的吸收近红外光，可以有效提高CMOS图像传感器量子转换效率。进一步的，锗硅外延工艺能与现在的硅单晶制成工艺很好的兼容，因而比较容易应用在目前的CMOS图像传感器工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底包括光电二极管区域以及隔离区域；去除部分所述硅衬底，在所述光电二极管区域内形成沟槽；以及在所述沟槽内填充半导体层，所述半导体层的禁带宽度小于所述硅衬底的禁带宽度，所述半导体层用于形成光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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