[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
| 申请号： | 201610827085.X | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106558525A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 关欣;刘沧宇;李柏汉 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括一第一基底及一第二基底。第一基底内包括一感测区或元件区。第一基底接合于一第二基底上，且电性连接至第二基底。第二基底的厚度与第一基底的厚度的比值为2至8。本发明能够进一步缩小晶片封装体的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片封装体，其特征在于，包括：第一基底，其中该第一基底内包括感测区或元件区；以及第二基底，其中该第一基底接合于该第二基底上且电性连接至该第二基底，且该第二基底的厚度与该第一基底的厚度的比值为2至8。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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