[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

得到一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够抑制晶片翘曲，削减制造成本，得到导电性高的Ni膜。在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底(1)的第1主面形成第1主电极(9)。在半导体衬底(1)的第2主面形成第2主电极(13)。进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行活性化。进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行清洁化。在表面活性化处理及表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在第1及第2主电极(9、13)之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜(14、15)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底的所述第1主面形成第1主电极；在所述半导体衬底的所述第2主面形成第2主电极；进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对所述第1及第2主电极的表面进行活性化；进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对所述第1及第2主电极的表面进行清洁化；以及在所述表面活性化处理及所述表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在所述第1及第2主电极之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜，在通过湿式成膜法同时形成所述第1及第2Ni膜的工序中，通过使所述第1及第2Ni膜所含的P浓度变化，从而使所述第1及第2Ni膜所含的晶体性Ni的比例变化。