[发明专利]一种化学镀制备ULSI-Cu布线扩散阻挡层NiCoB薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610827712.X | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107104076B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 陈秀华;王月春;马文会 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650091 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及化学镀制备超大规模集成电路亚45nm级铜互连扩散阻挡层的制备方法，属于化学镀领域。对于化学镀制备NiCoB扩散阻挡层薄膜的单晶硅基体采用钯原子活化法，用化学镀方法在单晶硅基体上沉积一层40nm厚的NiCoB薄膜作为扩散阻挡层，然后用化学镀方法沉积Cu膜，最后沉积一层NiCoB薄膜。本发明研究了NiCoB薄膜作为扩散阻挡层的阻挡性能，其具有失效温度高，结合力强，电阻率低，具有磁性等优点且本发明的NiCoB镀液稳定性好，镀速高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 制备 ulsi cu 布线 扩散 阻挡 nicob 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学镀制备NiCoB薄膜的方法，其特征在于：化学镀制备NiCoB薄膜作为铜互连的扩散阻挡层，以DMAB为还原剂，二水合柠檬酸三钠和四水合酒石酸钾钠为络合剂，六水硫酸镍和七水硫酸钴为主盐，三水合乙酸钠为pH缓冲剂，氟化铵为加速剂，化学镀制NiCoB/Cu/NiCoB/SiO2/Si样品并进行退火实验。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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