[发明专利]适用于HIT电池的石墨烯电极制备方法、石墨烯电极及HIT电池有效
申请号: | 201610827752.4 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106531820B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 陈国钦;彭卓寅;刘良玉 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;黄丽 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于HIT电池的石墨烯电极制备方法、石墨烯电极及HIT电池。该适用于HIT电池的石墨烯电极制备方法包括配制石墨烯溶液,在常规HIT电池制备工艺的电极制备步骤中,以所配石墨烯溶液为电极溶液,采用电沉积法制备HIT电池的电极,经烘干后,进行热处理,得到适用于HIT电池的石墨烯电极,同时也形成了HIT电池。本发明的制备方法可保证双面电极的导电性能,同时避免高温对HIT电池中薄膜的影响,有效提高光电转换效率,降低HIT电池片的制造成本。 | ||
搜索关键词: | 适用于 hit 电池 石墨 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种适用于HIT电池的石墨烯电极制备方法,包括以下步骤:配制石墨烯溶液,在常规HIT电池制备工艺的电极制备步骤中,以所配石墨烯溶液为电极溶液,采用电沉积法制备HIT电池的电极,经烘干后,进行热处理,得到适用于HIT电池的石墨烯电极,所述热处理的温度为100℃~300℃,所述热处理的时间为1min~5min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的