[发明专利]硒镓镉钡化合物及其制备方法、硒镓镉钡晶体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610827983.5 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106629632B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 尹文龙;余盛全;唐明静;张羽;袁泽锐;窦云巍;方攀;陈莹;康彬;邓建国 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C30B11/00;C30B29/46;G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘兴亮 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硒镓镉钡化合物及其制备方法、硒镓镉钡晶体及其制备方法和应用。硒镓镉钡化合物的化学式是Ba5CdGa6Se15；该硒镓镉钡化合物将含Ba物质、含Cd物质、含Ga物质和单质Se按一定量的摩尔比配料并混合均匀并高温固相反应制得；所述硒镓镉钡晶体化学式为Ba5CdGa6Se15，该晶体为非中心对称结构，属正交晶系，空间群为Ama2；该晶体是将硒镓镉钡化合物利用水平梯度冷凝法或坩埚下降法制备得到，其晶体生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体；该晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硒镓镉钡 化合物 及其 制备 方法 晶体 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硒镓镉钡化合物，其特征在于所述硒镓镉钡化合物的化学式是Ba5CdGa6Se15。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心，未经中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610827983.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
