[发明专利]230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构有效
| 申请号： | 201610828043.8 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106211540B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 崔涛;王川;李明;尹蒙;张天爵;吕银龙 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H13/00 | 分类号： | H05H13/00;H05H7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 10241*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构，该结构的磁极呈双层结构，下层为磁极根部，上层为与磁极根部同材质的导磁材料垫补板，所述的导磁材料垫补板固定在下层磁极根部的表面，上层导磁材料垫补板的凸出侧轮廓与下层磁极根部的凸出侧轮廓相比具有更大的反折角。本发明在不增加磁极半径的条件下，降低引出点前轴向共振频率νz，避免在引出点前穿越νz＝1的共振，防止由该共振造成的引出束流轴向品质变差，减小引出区的束流损失，进而减小加速器维护人员所受的辐照剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 230 mev 超导 回旋加速器 防止 引出 有害 共振 机械 结构 | ||
【主权项】：
1.一种230MeV超导回旋加速器防止引出区有害共振的机械结构，其特征在于：磁极呈双层结构，下层为磁极根部，上层为与磁极根部同材质的导磁材料垫补板，所述的导磁材料垫补板固定在下层磁极根部的表面，上层导磁材料垫补板的凸出侧轮廓与下层磁极根部的凸出侧轮廓相比具有更大的反折角。
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