[发明专利]AMOLED像素驱动电路的制作方法

摘要

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路的制作方法，仅保留覆盖第二有源区(42)的第二绝缘层作为刻蚀阻挡层(5)，制作出了ES型的驱动薄膜晶体管(T2)、及BCE型的开关薄膜晶体管(T1)。BCE型的开关薄膜晶体管(T1)具有较小的寄生电容，可以减小RC效应，有利于交流数据信号的控制；ES型的驱动薄膜晶体管(T2)具有优良的器件特性，可以为OLED提供稳定的电流，确保OLED发光具有稳定性和均匀性。

主权项

1.一种AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(1)，在所述衬底基板(1)上沉积并刻蚀第一金属层，形成图案化的第一栅极(21)、及第二栅极(22)；步骤2、在所述衬底基板(1)、第一栅极(21)、及第二栅极(22)上沉积覆盖栅极绝缘层(3)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积并刻蚀半导体层，分别于第一栅极(21)、第二栅极(22)上方形成图案化的第一有源区(41)、及第二有源区(42)；步骤4、在所述第一有源区(41)、第二有源区(42)、及栅极绝缘层(3)上沉积并刻蚀第二绝缘层，仅保留覆盖第二有源区(42)的第二绝缘层作为刻蚀阻挡层(5)，同时在刻蚀阻挡层(5)内刻蚀出第一接触孔(51)、及第二接触孔(52)，分别暴露出第二有源区(42)的两侧；步骤5、刻蚀栅极绝缘层(3)，形成第三接触孔(31)，暴露出第二栅极(22)靠近第一栅极(21)的一侧；步骤6、在所述第一有源区(41)、刻蚀阻挡层(5)、及栅极绝缘层(3)上沉积并刻蚀第二金属层，形成图案化的第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(63)、及第二漏极(64)；所述第一源极(61)直接接触第一有源区(41)靠近第二有源区(42)的一侧并通过所述第三接触孔(31)连接第二栅极(22)，所述第一漏极(62)直接接触第一有源区(41)的另一侧；所述第二源极(63)、第二漏极(64)分别通过第一接触孔(51)、第二接触孔(52)连接第二有源区(42)的两侧；所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第一有源区(41)、栅极绝缘层(3)及第一栅极(21)构成开关薄膜晶体管(T1)，所述第二源极(63)、第二漏极(64)、刻蚀阻挡层(5)、第二有源区(42)、栅极绝缘层(3)及第二栅极(22)构成驱动薄膜晶体管(T2)。