[发明专利]顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED有效

专利信息
申请号: 201610828109.3 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN106299152B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 姜亮;李金川;吴聪原 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED。本发明的顶发射AMOLED顶电极光罩,包括具有数个开口区域的掩膜片,且每个开口区域中设有间隔平行排列的数个遮光条,采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层,由于数个条形导电膜层之间设有数个狭缝,且狭缝处的透光率高,因此,与传统的整块顶电极相比,本发明的顶发射AMOLED顶电极的透光率高,在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率,可有效改善视角色偏并提升器件效率。本发明的顶发射AMOLED,含有上述顶发射AMOLED顶电极,可有效改善视角色偏并提升器件效率。
搜索关键词: 发射 amoled 极光 电极
【主权项】:
1.一种顶发射AMOLED顶电极光罩,其特征在于,包括支撑框架(10)、设于所述支撑框架(10)内部且与其固定连接的掩膜片(20)、设于所述掩膜片(20)上的数个开口区域(21)、以及设于每个开口区域(21)中且间隔平行排列的数个遮光条(30),其中,每个开口区域(21)中的数个遮光条(30)的两端均与所述掩膜片(20)相连接;所述遮光条(30)的宽度为10μm~30μm,相邻两个遮光条(30)之间的狭缝的宽度为10μm~30μm;所述掩膜片(20)与遮光条(30)的材料均为因瓦合金;每个开口区域(21)中,所述数个遮光条(30)的宽度相等,所述数个遮光条(30)之间的狭缝的宽度相等。
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