[发明专利]顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED有效
申请号: | 201610828109.3 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106299152B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 姜亮;李金川;吴聪原 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种顶发射AMOLED顶电极光罩、顶发射AMOLED顶电极及顶发射AMOLED。本发明的顶发射AMOLED顶电极光罩,包括具有数个开口区域的掩膜片,且每个开口区域中设有间隔平行排列的数个遮光条,采用该光罩制得的顶发射AMOLED顶电极包括间隔平行排列的数个条形导电膜层,由于数个条形导电膜层之间设有数个狭缝,且狭缝处的透光率高,因此,与传统的整块顶电极相比,本发明的顶发射AMOLED顶电极的透光率高,在增强整个顶电极的透光率的同时降低了整个顶电极的反射率,可有效改善视角色偏并提升器件效率。本发明的顶发射AMOLED,含有上述顶发射AMOLED顶电极,可有效改善视角色偏并提升器件效率。 | ||
搜索关键词: | 发射 amoled 极光 电极 | ||
【主权项】:
1.一种顶发射AMOLED顶电极光罩,其特征在于,包括支撑框架(10)、设于所述支撑框架(10)内部且与其固定连接的掩膜片(20)、设于所述掩膜片(20)上的数个开口区域(21)、以及设于每个开口区域(21)中且间隔平行排列的数个遮光条(30),其中,每个开口区域(21)中的数个遮光条(30)的两端均与所述掩膜片(20)相连接;所述遮光条(30)的宽度为10μm~30μm,相邻两个遮光条(30)之间的狭缝的宽度为10μm~30μm;所述掩膜片(20)与遮光条(30)的材料均为因瓦合金;每个开口区域(21)中,所述数个遮光条(30)的宽度相等,所述数个遮光条(30)之间的狭缝的宽度相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610828109.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择