[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片有效
| 申请号： | 201610828123.3 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106245113B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 鄢俊琦;陈红荣;胡动力;何亮 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供铸锭炉，铸锭炉包括坩埚和隔热笼；在坩埚底部铺设籽晶，籽晶之间留有缝隙，形成籽晶层；在籽晶层上方填装硅料；加热使坩埚底部的温度上升，待籽晶表面开始熔化形成熔融液时，开启隔热笼并提升隔热笼的高度，以降低坩埚底部温度，熔融液填充在籽晶之间的缝隙中并凝固，得到致密的籽晶层，继续加热使硅料熔化形成硅熔体；待硅料熔化后形成的固液界面刚好处在或深入致密的籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在籽晶层基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明在致密的籽晶层上形核结晶，可以避免杂质渗透到籽晶中，同时形核容易控制，得到的多晶硅锭质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：提供铸锭炉，所述铸锭炉包括坩埚和隔热笼；在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶之间留有缝隙，形成籽晶层；在所述籽晶层上方填装硅料；加热使坩埚底部的温度上升，待所述籽晶表面开始熔化形成熔融液时，开启所述隔热笼并提升所述隔热笼的高度，以降低所述坩埚底部温度，所述熔融液填充在所述籽晶之间的缝隙中并凝固，得到致密的籽晶层，然后继续加热使所述硅料熔化形成硅熔体；待所述硅料熔化后形成的固液界面刚好处在或深入所述致密的籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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