[发明专利]铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法在审
| 申请号： | 201610828244.8 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106435685A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈东初;倪磊;常萌蕾;魏红阳 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C25D11/08 | 分类号： | C25D11/08;C25D9/04;C25D5/18 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙)11470 | 代理人： | 刘晔 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铝合金表面热控涂层的超声脉冲电沉积制备方法，具体涉及一种铝合金表面制备低比值太阳吸收率/半球发射率复合氧化膜的制备方法。本发明的制备方法按以下步骤实现：一、铝合金表面前处理；二、铝合金阳极氧化；三、将氧化后的铝合金进行超声脉冲电沉积二氧化硅溶胶；然后用蒸馏水清洗铝合金表面并干燥，即在铝合金表面得到低吸收率高发射率的热控涂层，涂层的太阳吸收率在0.10‑0.20之间，半球发射率在0.80‑0.95之间，是性能优良的低太阳吸收率和高半球发射率的热控涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 沉积 制备 吸收率 半球 发射 氧化 方法 | ||
【主权项】：
铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法，其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：(1)对铝合金进行阳极氧化处理：所述铝合金为6063铝合金，在电解液中进行氧化，其中，氧化工艺为：电流密度为0.5‑2.5A/dm2，氧化槽液的温度为2‑26℃，氧化时间为10‑120min；(2)超声脉冲电沉积制备热控涂层：将经步骤(1)预处理后的铝合金浸入电解液中进行超声脉冲电沉积制备二氧化硅，电沉积的工艺为：电压为3‑5V，电沉积时间300‑1200s。
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