[发明专利]基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法在审

专利信息
申请号: 201610828511.1 申请日: 2016-09-18
公开(公告)号: CN106298466A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 马晓华;吴瑞雪;谢涌;王湛;严肖瑶;南瑭;于欣欣 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 陕西电子工业专利中心61205 代理人: 王品华,朱红星
地址: 710071 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法,本发明解决传统转移方法工艺繁琐,转移样品完整性不高的问题,其实现方案是:1)在衬底上生长有二维过渡金属硫属化合物的样片上进行光刻胶旋涂,并使用50~60℃的KOH水溶液对样片进行刻蚀;2)用热释胶带紧贴经过1)处理后的样片,随后剥离热释胶带,得到依次为热释胶带、光刻胶和二维过渡金属硫属化合物的堆叠结构,并将带有该结构的热释胶带紧贴于提前选择并清洁过的目标衬底上;3)利用加热台加热剥离热释胶带,再用丙酮去除目标衬底上的光刻胶并将其用氮气吹干,转移结束。本发明具有工艺简单,转移完整,对样片要求低,衬底可重复利用的优点,可用于二维纳米材料的加工。
搜索关键词: 基于 胶带 二维 过渡 金属 化合物 转移 方法
【主权项】:
一种基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法,包括如下步骤:(1)在光镜下观察于衬底上生长了二维过渡金属硫属化合物的样片,标定转移区域并拍摄照片;(2)用氮气枪清洁样片表面,并将其置于加热台上加热至100℃~120℃;(3)向样片表面滴2到3滴光刻胶,使其覆盖面积略大于样片表面积的一半,然后将样片置于旋涂机上旋涂,使滴上的光刻胶均匀分布在样片表面,随后将样片置于160~180℃的加热台上进行一次加热后,再次向样片表面滴2滴光刻胶,对样片进行二次旋涂并将其置于160℃~180℃加热台上进行二次加热,之后从热板上取下样片;(4)将样片置于40~60℃的KOH水溶液中刻蚀4~8min后,用纯水冲洗干净并用氮气枪将其吹干,再将热释胶带紧贴于该样片上;(5)选择表面平整无划痕的衬底做目标衬底,使用纯水、丙酮、异丙醇依次对其进行超声清洗5~10min;(6)把热释胶带沿样片边缘缓慢撕下,得到依次为热释胶带、光刻胶和二维过渡金属硫属化合物的堆叠结构,随后将带有该结构的热释胶带紧贴于步骤(5)得到的目标衬底上;(7)将贴有热释胶带的目标衬底置于加热台上加热至120℃~140℃,使热释胶带受热卷曲,与目标衬底分离;(8)将目标衬底浸泡在40℃~50℃丙酮中3~5min,然后将其浸泡在异丙醇中1~3min,除去其表面的光刻胶,再使用氮气枪将目标衬底吹干,完成转移。
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