[发明专利]基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法在审
申请号: | 201610828511.1 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106298466A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 马晓华;吴瑞雪;谢涌;王湛;严肖瑶;南瑭;于欣欣 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人: | 王品华,朱红星 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法,本发明解决传统转移方法工艺繁琐,转移样品完整性不高的问题,其实现方案是:1)在衬底上生长有二维过渡金属硫属化合物的样片上进行光刻胶旋涂,并使用50~60℃的KOH水溶液对样片进行刻蚀;2)用热释胶带紧贴经过1)处理后的样片,随后剥离热释胶带,得到依次为热释胶带、光刻胶和二维过渡金属硫属化合物的堆叠结构,并将带有该结构的热释胶带紧贴于提前选择并清洁过的目标衬底上;3)利用加热台加热剥离热释胶带,再用丙酮去除目标衬底上的光刻胶并将其用氮气吹干,转移结束。本发明具有工艺简单,转移完整,对样片要求低,衬底可重复利用的优点,可用于二维纳米材料的加工。 | ||
搜索关键词: | 基于 胶带 二维 过渡 金属 化合物 转移 方法 | ||
【主权项】:
一种基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法,包括如下步骤:(1)在光镜下观察于衬底上生长了二维过渡金属硫属化合物的样片,标定转移区域并拍摄照片;(2)用氮气枪清洁样片表面,并将其置于加热台上加热至100℃~120℃;(3)向样片表面滴2到3滴光刻胶,使其覆盖面积略大于样片表面积的一半,然后将样片置于旋涂机上旋涂,使滴上的光刻胶均匀分布在样片表面,随后将样片置于160~180℃的加热台上进行一次加热后,再次向样片表面滴2滴光刻胶,对样片进行二次旋涂并将其置于160℃~180℃加热台上进行二次加热,之后从热板上取下样片;(4)将样片置于40~60℃的KOH水溶液中刻蚀4~8min后,用纯水冲洗干净并用氮气枪将其吹干,再将热释胶带紧贴于该样片上;(5)选择表面平整无划痕的衬底做目标衬底,使用纯水、丙酮、异丙醇依次对其进行超声清洗5~10min;(6)把热释胶带沿样片边缘缓慢撕下,得到依次为热释胶带、光刻胶和二维过渡金属硫属化合物的堆叠结构,随后将带有该结构的热释胶带紧贴于步骤(5)得到的目标衬底上;(7)将贴有热释胶带的目标衬底置于加热台上加热至120℃~140℃,使热释胶带受热卷曲,与目标衬底分离;(8)将目标衬底浸泡在40℃~50℃丙酮中3~5min,然后将其浸泡在异丙醇中1~3min,除去其表面的光刻胶,再使用氮气枪将目标衬底吹干,完成转移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610828511.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双重曝光的光刻工艺方法
- 下一篇:板材(环氧金属板HJ‑YX05)
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造