[发明专利]具有栅极的半导体器件及形成其的方法有效
| 申请号： | 201610829464.2 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106935508B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李东镇;李知恩;郑磬镐;山田悟;郑文泳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：形成栅电介质；在所述栅电介质上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成源材料层，所述源材料层包含第一元素；和通过执行热处理工艺将所述第一元素扩散到所述第一导电材料层中以形成掺杂材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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