[发明专利]垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法

摘要

本发明提供了一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，通过特殊的晶圆级键合技术，将设置在Si基衬底上的GaN功率半导体器件转移至目标Cu衬底上。该方法是一种全新的衬底转移技术，大的热传导系数的Cu基板可以有效的帮助GaN功率半导体器件散热，消除高功率晶体管的自热效应，同时可降低GaN功率器件的功耗及提高设备在高温下的可靠性。该方法操作简单，可推动GaN器件在下一代毫米波雷达收发组件（T/R）组件以及复杂宇航级领域的应用，具有明显的创新性和研究价值。

主权项

一种垂直结构功率半导体器件的衬底转移方法，其特征在于,包括如下步骤：步骤1：在原有的GaN功率半导体器件的上表面涂覆一层聚酰亚胺作为GaN器件的保护层，并将其放入真空烘箱进行固化；步骤2：完成步骤1后，在固化后的聚酰亚胺层上方涂覆石蜡层，采用晶圆级键合技术将石蜡层键合到蓝宝石表面；步骤3：通过湿法腐蚀办法去除原GaN功率器件的硅衬底；步骤4：在原硅衬底处溅射一层金属种子层，然后在种子层上方电镀铜作为GaN功率器件的新衬底；步骤5：将GaN功率半导体器件从蓝宝石在片上剥离，并去除所述GaN功率半导体器件表面的剩余石蜡，通过去除液浸泡去掉GaN器件的聚酰亚胺保护层。