[发明专利]一种测试结构在审
| 申请号： | 201610830800.5 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106124961A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈晓;韩坤 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12;G01R31/14;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种金属层间介质击穿电压测试结构，通过于测试结构中设置与若干待测结构分别串联连接的电阻结构，从而使用常规探针卡即可实现IMD Vramp（金属层间电介质击穿电压）等测试，同时避免测试结构发生严重烧伤的现象；由于该测试结构统一了探针卡的规格，从而降低了测试成本，使原来需用不同规格探针卡测试的项目能够同时测试，提高了测试效率；进而解决了测试键连线熔断而导致后续测试结构受影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种测试结构，其特征在于，包括若干待测结构和电阻结构；其中，所述若干待测结构分别与所述电阻结构串联连接。
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