[发明专利]一种锑烯二维原子晶体材料及其制备方法有效
申请号: | 201610831257.0 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN106191999B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 王业亮;武旭;邵岩;刘中流;高鸿钧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C30B29/02 | 分类号: | C30B29/02;C30B29/64;C30B23/02 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种锑烯二维原子晶体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在真空环境下,对单晶基底进行处理,得到干净平整的晶面;2)将适量高纯度锑原子蒸发沉积到单晶基底上,同时使单晶基底保持一预设的生长温度,以使沉积的锑原子产生相互作用,并充分扩散,形成六角蜂窝状排布的二维有序的周期性结构,从而获得锑烯二维原子晶体材料。这种类石墨烯结构的新型材料拓展了非碳基二维蜂窝状晶体材料的研究领域,在未来信息电子学及半导体器件开发研究方面具有广泛的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 二维 原子 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种锑烯二维原子晶体材料,其特征在于,锑原子呈六角蜂窝状排布,并在二维平面内周期性扩展,形成单层锑烯二维原子晶体材料。
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