[发明专利]一种GaN HEMT非线性噪声模型建立方法有效
| 申请号： | 201610831500.9 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106372357B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路制‑‑造领域，尤其涉及一种GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、建立GaN HEMT非线性等效电路模型；S2、将所述GaN HEMT非线性等效电路模型中的本征区域引入噪声源后，获得三个噪声源的表达式；S3、在不同漏源电流偏置条件下，获取GaN HEMT非线性等效电路模型中的沟道噪声系数随漏源电流的变化关系；S4、根据所述沟道噪声系数随漏源电流的变化关系，获得完整的漏极噪声电流源随漏源电流变化的表达式，并根据在GaN HEMT非线性等效电路模型中引入三个噪声源，建立GaN HEMT非线性噪声模型，可以模拟GaN HEMT器件在非线性状态下的噪声特性，即器件的噪声参数随输入功率的变化，可用于设计GaN HEMT低噪声功率放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganhemt 非线性 噪声 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN HEMT非线性噪声模型的建立方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、建立GaN HEMT非线性等效电路模型；S2、将所述GaN HEMT非线性等效电路模型中的本征区域引入噪声源后，获得三个噪声源的表达式；S3、在不同漏源电流偏置条件下，获取GaN HEMT非线性等效电路模型中的沟道噪声系数随漏源电流的变化关系；S4、根据所述沟道噪声系数随漏源电流的变化关系，获得完整的漏极噪声电流源随漏源电流变化的表达式，并根据在GaN HEMT非线性等效电路模型中引入三个噪声源，建立GaN HEMT非线性噪声模型。
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