[发明专利]离子注入装置

摘要

本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。

主权项

1.一种离子注入装置，其用于对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序，其特征在于，具备：能量调整机构，能够调整离子束的注入能量；射束扫描器，在规定扫描方向上往复扫描所述离子束；测量仪，测定往复扫描的所述离子束的所述扫描方向的射束电流密度分布；压板动作装置，保持晶片以使所述往复扫描的离子束照射到晶片处理面；及控制装置，根据所述测量仪的测定结果，以所述射束电流密度分布成为在注入条件中设定的目标值的方式确定所述射束扫描器的扫描参数来执行各离子注入工序，所述压板动作装置包括：往复运动机构，在与所述扫描方向正交的往复运动方向上使所述晶片进行往复运动；扭转角调整机构，以所述晶片处理面的法线为轴旋转所述晶片，从而调整设置于所述晶片的外周部的对准标记与基准位置之间的扭转角；及倾角调整机构，调整朝向所述晶片处理面的所述离子束的行进方向与所述晶片处理面的法线之间的倾角，所述多个离子注入工序中，(a)以所述晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在所述往复运动方向上运动的所述晶片处理面照射所述往复扫描的离子束，并且(c)对应于所述晶片的所述往复运动方向的位置，以能够改变照射到所述晶片处理面的所述离子束的所述射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件，所述控制装置在对同一晶片连续执行所述多个离子注入工序之前执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为所述多个离子注入工序的各注入条件而设定的与所述射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数，所述控制装置包括：设定部，接收所述多个离子注入工序的各注入条件的设定；确定部，根据所述设定部中设定的各注入条件来确定所述多个扫描参数；存储部，保持所述确定部所确定的所述多个扫描参数；及执行部，按照保持在所述存储部的所述多个扫描参数控制所述射束扫描器来执行所述多个离子注入工序，所述确定部在所述设置工序中，根据所述测量仪的测定结果来统一确定所述多个扫描参数，并使所确定的多个扫描参数保持在所述存储部，所述执行部在统一确定所述多个扫描参数之后，按照保持在所述存储部的所述多个扫描参数，对同一晶片连续执行所述多个离子注入工序。