[发明专利]纳米颗粒的碳涂覆方法及由此制造的以碳涂覆的纳米颗粒有效
| 申请号： | 201610832106.7 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106544640B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 丁*條;金燦洙;崔志连;南珠姸;朴淳哲;张文硕;田刚旻;汉枝亨;金韩基;左银珍 | 申请（专利权）人： | 韩国能量技术研究院 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金明花 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米颗粒的碳或掺杂碳涂覆方法，向高温高压密封型反应器内供给选自碳源、掺杂源、含掺杂元素的碳源以及废塑料源的任一种源或组合两种以上的源和纳米颗粒，将上述高温高压密封型反应器完全密封，对上述反应器进行加热，在上述反应器内自然产生的压力以及500至850℃反应温度下，对上述纳米颗粒的表面涂覆碳层，从而以单一工艺形成纳米颗粒‑碳的核‑壳结构，或对上述纳米颗粒的表面涂覆掺杂有上述掺杂元素的碳层，从而以单一工艺形成纳米颗粒‑掺杂碳的核‑壳结构。根据本发明能够提高经济性以及生产性，能够均匀地形成涂覆层，还能够易于控制涂覆层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 颗粒 碳涂覆 方法 由此 制造 | ||
【主权项】：
一种纳米颗粒的碳或掺杂碳涂覆方法，其中，向高温高压密封型反应器内供给选自碳源、掺杂源、含掺杂元素的碳源以及废塑料源的任一种源或组合两种以上的源和纳米颗粒，将上述高温高压密封型反应器完全密封，对上述反应器进行加热，在上述反应器内自然产生的压力以及500至850℃反应温度下，对上述纳米颗粒的表面涂覆碳层，从而以单一工艺形成纳米颗粒‑碳的核‑壳结构，或对上述纳米颗粒的表面涂覆掺杂有上述掺杂元素的碳层，从而以单一工艺形成纳米颗粒‑掺杂碳的核‑壳结构。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
