[发明专利]一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器有效
| 申请号： | 201610832109.0 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106300012B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李沛旭;徐现刚;朱振;张新;苏建 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，从下至上包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、腐蚀阻挡层、第二上限制层和欧姆接触层；腐蚀阻挡层为GaInP材料；有源层为GaAsP材料或者InGaAsP材料；下限制层为AlGaInP材料，第一上限制层为AlGaInP材料，上波导层和下波导层采用GaInP；第二上限制层为AlGaAs材料，欧姆接触层为GaAs材料。本发明能够较容易的实现材料生长，由第二上限制层和欧姆接触层组成的结构能够实现高选择性的化学腐蚀结果，能够有效控制脊型波导的台阶腐蚀深度、台阶对称性，提升半导体激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 选择性 腐蚀 阻挡 808 nm 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器，从下至上包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、腐蚀阻挡层、第二上限制层和欧姆接触层；其特征在于，所述腐蚀阻挡层为GaInP材料；所述有源层为GaAsP材料或者InGaAsP材料；下限制层为N型AlGaInP材料，第一上限制层为P型AlGaInP材料，上波导层和下波导层采用无铝材料，无铝材料为GaInP；第二上限制层为P型AlGaAs材料，欧姆接触层为P型GaAs材料；第二上限制层为Al
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