[发明专利]一种提高量子效率的PtSi红外探测器在审
| 申请号： | 201610832462.9 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106340560A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王岭雪;康冰心;蔡毅 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人： | 高燕燕,仇蕾安 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高量子效率的PtSi红外探测器，属于红外成像技术领域，包括p型硅衬底、覆盖的光栅型PtSi金属膜以及二氧化硅抗反射膜；p型硅衬底的上表面刻蚀有光栅A，下表面刻蚀有光栅B；光栅A为采用反应离子干法刻蚀的光栅结构、A的表面通过磁控溅射的方法蒸镀PtSi金属膜；光栅B为采用反应离子干法刻蚀的亚波长光栅结构、B的表面蒸镀的二氧化硅抗反射膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 量子 效率 ptsi 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种提高量子效率的PtSi红外探测器，其特征在于，包括p型硅衬底、覆盖的光栅型PtSi金属膜以及二氧化硅抗反射膜；所述p型硅衬底的上表面刻蚀有光栅A，下表面刻蚀有光栅B；所述光栅A为采用反应离子干法刻蚀的光栅结构、A的表面通过磁控溅射的方法蒸镀PtSi金属膜；光栅B为采用反应离子干法刻蚀的亚波长光栅结构、B的表面蒸镀的二氧化硅抗反射膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
