[发明专利]低渗透性电馈通有效
申请号: | 201610833211.2 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN106971745B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | T.R.阿尔布雷克特;D.阿明-沙希德;V.阿亚诺尔-威蒂凯特;平野敏树 | 申请(专利权)人: | HGST荷兰公司 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B33/12;H05K1/11;H05K3/40;H01R13/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种低渗透性电馈通,包含层压结构,所述层压结构具有夹在相邻的绝缘体层之间的导体层,所述绝缘体层被夹在相邻的扩散控制层之间,在这种情况下,层压结构提供相对窄且长、高深宽比的扩散通道,以抑制气体从密封的装置内泄漏到外部环境。电馈通可以包含下部电连接垫和上部电连接垫,两者被设置在馈通的不同区域内,但仍通过设置在密封区域中的第一通孔、导体层,以及设置在外部环境区域中的第二通孔电连接。 | ||
搜索关键词: | 渗透性 电馈通 | ||
【主权项】:
1.一种电馈通,配置为介于气密密封环境与外部环境之间,所述馈通包含:第一扩散控制层,沿外部环境区域从附接区域不间断地延伸一距离;在所述第一扩散控制层的顶部上的第一绝缘体层,所述第一绝缘体层包括在设置于密封区域内的第一通孔和设置于所述密封区域之外的所述外部环境区域内的第二通孔之间延伸的一部分;在所述第一绝缘体层的顶部上的导体层,所述导体层电连接所述第一通孔和所述第二通孔;在所述导体层的顶部的第二绝缘体层;以及在所述第二绝缘体层的顶部上的第二扩散控制层,所述第二扩散控制层不间断地延伸跨过所述电馈通的大部分长度,但未接触所述第二通孔,其中所述第一扩散控制层、所述第一绝缘体层、所述第二绝缘体层,以及所述第二扩散控制层在所述密封区域与所述外部环境区域之间形成高深宽比的扩散通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HGST荷兰公司,未经HGST荷兰公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610833211.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:盘装置及其制造方法
- 下一篇:一种擦盘光驱及光盘擦写方法