[发明专利]一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201610833227.3 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106207754A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马旺;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法，该外延结构自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层、pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层；其生长方法是在衬底上依次生长所述各层，pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层生长压力为80torr‑260torr，生长温度800℃‑1000℃。本发明采用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，能够提高pAlGaN层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 激光器 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基激光器外延结构，自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型GaN波导层、发光层、电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层，其特征是：所述电子阻挡层为pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层。
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