[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610833881.4 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107026200B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·A·M·德波特 | 申请（专利权）人： | 安普林荷兰有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐川;姚开丽 |
| 地址： | 荷兰奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述器件包括具有主要表面的半导体衬底。所述器件还包括位于所述主要表面的栅极。所述器件进一步包括具有第一导电类型的漏极区域。所述器件还包括具有第一导电类型的源极区域，其中，所述源极区域位于具有第二导电类型的区域内。所述器件进一步包括沟道区域，由具有第二导电类型的区域位于所述栅极之下的一部分组成。所述漏极区域沿着所述衬底的主要表面背离所述栅极横向延伸。所述漏极还在栅极、源极区域和具有第二导电类型的区域之下延伸，以便将源极区域和具有第二导电类型的区域与所述衬底的下方区域隔离开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主要表面；栅极，位于所述主要表面上；漏极区域，具有第一导电类型；源极区域，具有所述第一导电类型，其中，所述源极区域位于具有第二导电类型的区域内；沟道区域，由所述具有第二导电类型的区域的位于所述栅极之下的一部分组成，并且其中，所述漏极区域沿着所述衬底的所述主要表面背离所述栅极横向延伸，并且其中，所述漏极还在所述栅极、所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域之下延伸，以便将所述源极区域和所述具有第二导电类型的区域与所述衬底的下方区域隔离开。
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