[发明专利]LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长i‑AlGaN层和p‑InGaN层的交替生长结构、生长高温p型GaN层、生长p型GaN接触层、降温冷却。如此方案，把传统的LED外延电子阻挡层，设计为低压高温的i‑AlGaN层和高压低温的p‑InGaN层的交替层生长结构，既起到电子阻挡效果，又有助于空穴注入水平的增加，从而提高LED的发光效率。

主权项

1.一种LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长高温p型GaN层、生长p型GaN接触层、降温冷却，在所述生长发光层之后、生长高温p型GaN层之前，还包括：生长i‑AlGaN层和p‑InGaN层的交替生长结构，其中，所述i‑AlGaN层在低压高温环境下生长，所述p‑InGaN层在高压低温环境下生长；所述生长i‑AlGaN层和p‑InGaN层的交替生长结构，具体为：在反应腔中通入MO源，所述MO源为TMAl、TMGa、TMIn和CP2Mg，保持反应腔压力20Torr‑200Torr、保持生长温度900℃‑1100℃，单层生长厚度为1nm‑10nm的i‑AlGaN层，其中，Al的摩尔组分为10％‑30％；保持反应腔压力200Torr‑1000Torr、保持生长温度750℃‑900℃，单层生长厚度为1nm‑10nm的p‑InGaN层，其中，In的摩尔组分为2％‑20％，Mg掺杂浓度为1018cm‑3‑1021cm‑3；周期性生长所述i‑AlGaN层和所述p‑InGaN层，生长周期为2‑50，生长所述i‑AlGaN层和生长所述p‑InGaN层的顺序可互换。