[发明专利]基于法珀腔的碳化硅基高温压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610834555.5 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106441657A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 苑伟政;马志波;马炳和;邓进军;张晗;马骋宇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G01L1/24 | 分类号： | G01L1/24;G01L7/08 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心61204 | 代理人： | 吕湘连 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于法珀腔的碳化硅基高温压力传感器及其制备方法，属于微机电系统(MEMS)领域。该传感器主要包括碳化硅基底1，碳化硅敏感薄膜3及碳化硅光纤4；所述碳化硅基底1上有一置于中心位置的非贯通空腔，碳化硅基底1上有碳化硅敏感薄膜3，使得碳化硅基底1上的非贯通空腔形成一密闭真空腔，即法珀腔2；在碳化硅基底1下方中心，有位置与法珀腔2中心位置相应的光纤4，用传导信息。本发明提出的传感器能够在0‑650℃环境温度下工作。采用碳化硅‑碳化硅高温直接键合，避免了不同材料键合产生的测量误差，大大提高了测量精度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 法珀腔 碳化硅 高温 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于法珀腔的碳化硅基MEMS高温压力传感器，主要包括碳化硅基底1，碳化硅敏感薄膜3及碳化硅光纤4；所述碳化硅基底1上有一置于中心位置的非贯通空腔，碳化硅基底1上有碳化硅敏感薄膜3，使得碳化硅基底1上的非贯通空腔形成一密闭真空腔，即法珀腔2；在碳化硅基底1下方中心，有位置与法珀腔2中心位置相应的光纤4，用传导信息。
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