[发明专利]一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法、多晶硅锭和多晶硅铸锭用坩埚有效
| 申请号： | 201610834565.9 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106521621B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;徐云飞;胡动力 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法，包括以下步骤：提供坩埚，坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，在朝向收容空间的侧壁表面设置阻挡层，阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99％以上的高纯薄片；高纯薄片的材质选自过渡金属单质、过渡金属化合物、石墨、铝的化合物和硼的化合物中的至少一种；然后在坩埚内设置熔融状态的硅料；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明通过在坩埚侧壁设置阻挡层，可以阻挡坩埚中的杂质进入硅锭/硅熔体，降低了硅锭的红边宽度，提高了多晶硅锭的少子寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 多晶 硅锭红边 宽度 铸锭 方法 坩埚 | ||
【主权项】：
1.一种降低多晶硅锭红边宽度的铸锭方法，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，所述坩埚包括底座及由底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，在朝向所述收容空间的所述侧壁表面设置阻挡层，所述阻挡层选自熔点大于硅且纯度在99.99％以上的高纯薄片；所述高纯薄片的材质选自过渡金属单质、石墨和氮化铝中的至少一种；在所述阻挡层表面设置一层氮化硅层；然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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