[发明专利]ZnSe/III-V族/ZnSexS1-x或ZnSe/III-V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610834857.2 申请日: 2016-09-20
公开(公告)号: CN106479481B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 谢松均;汪均;涂丽眉;高静 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 赵囡囡;金田蕴
地址: 310052 浙江省杭州市滨*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点及其制备方法。该制备方法包括:S1,制备含ZnSe核和非配位溶剂的第一混合液;S2,向第一混合液中加入III族元素前体溶液形成第二混合液,升温至180~320℃,加入V族元素前体溶液进行反应;S3,包覆ZnSexS1‑x或ZnSe/ZnS壳层,得到ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点。先在低温加III族元素前体溶液,然后高温加V族元素前体溶液,避免III‑V的自成核,实现III‑V族元素壳层在ZnSe核上完美的包覆。
搜索关键词: znse iii znsexs1 zns 量子 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,制备含ZnSe核和非配位溶剂的第一混合液,所述第一混合液温度≤150℃;S2,向所述第一混合液中加入III族元素前体溶液形成第二混合液,升温至180~320℃,加入V族元素前体溶液进行反应,所述III族元素和所述V族元素包覆在所述ZnSe核上形成III‑V族元素壳层,形成含ZnSe/III‑V族量子点的第三混合液;S3,包覆ZnSexS1‑x或ZnSe/ZnS壳层,得到所述ZnSe/III‑V族/ZnSexS1‑x或ZnSe/III‑V族/ZnSe/ZnS量子点,其中0≤x≤1。
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