[发明专利]一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法在审
| 申请号： | 201610835268.6 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN106206275A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 高杏;孙勤;申广耀 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法，包括采用中高温多晶硅沉积工艺形成闪存器件的浮栅或控制栅的多晶硅层、采用超快退火工艺对所述浮栅或控制栅表面沉积的多晶硅薄膜进行再处理以及随后进行闪存器件原本工艺流程等步骤；超快退火工艺传送一定量的能量至硅片表面以熔融某些预期多晶硅区域，进行再结晶；重新结晶后的多晶硅粒趋向单晶转变，其表面趋向于更平坦。因此，本发明在不改变闪存器件的浮栅或控制栅的多晶硅薄膜沉积条件下(高于或等于600摄氏度)形成多晶硅薄膜后，通过增加激光退火表现处理，对多晶硅薄膜表面进行再处理，从而达到改善多晶硅薄膜表面粗糙度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 多晶 表面 粗糙 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法，其特征在于，包括：步骤S1：采用中高温多晶硅沉积工艺在半导体器件表面沉积形成多晶硅薄膜层；步骤S2：采用超快退火工艺对所述半导体器件表面沉积的多晶硅薄膜层进行再处理；步骤S3：随后进行半导体器件原本工艺流程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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