[发明专利]一种显示面板有效
申请号: | 201610835745.9 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN106887449B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 安德鲁·加布里埃尔·林兹勒;米歇尔·奥斯汀·麦卡锡;刘波 | 申请(专利权)人: | 佛罗里达大学研究基金会 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/16;H01L29/78;H01L51/00;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/52 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;姚开丽 |
地址: | 美国佛*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了关于稀释源极实现垂直有机发光晶体管的各个实施例。在各个实施例中,显示面板包括像素阵列。在一个实施例中,其中,至少一个像素包括开关晶体管以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管,其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光。所述驱动晶体管可以是稀释源极实现垂直有机发光晶体管(DS‑VOLET)。所述开关晶体管可以包括稀释源极实现垂直场效应晶体管(DS‑VFET)。在另一个实施例中,双稀释源极实现垂直场效应晶体管(DS‑VFET)包括第一DS‑VFET,所述第一DS‑VFET耦接至第二DS‑VFET。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种显示面板,包括:像素阵列,其中至少一个像素包括:开关晶体管;以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管,其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光,其中所述驱动晶体管为耦接至所述开关晶体管的稀释源极实现垂直有机发光晶体管(DS‑VOLET)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的