[发明专利]接触SOI衬底有效
| 申请号： | 201610836535.1 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107026176B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | C·豪夫;I·洛伦茨;M·滋尔;U·亨泽尔;N·加恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及接触SOI衬底，其提供一种集成电路。该集成电路包括：半导体块体衬底；埋置氧化物层，形成于该半导体块体衬底上；多个单元，各单元具有晶体管装置，形成于该埋置氧化物层上方；多条栅极电极线，穿过该多个单元并为该单元的该晶体管装置提供栅极电极；以及多个连接单元(tap cell)，经配置以电性接触该半导体块体衬底并被布置于与具有该晶体管装置的该多个单元下方或上方的位置不同的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 soi 衬底 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：半导体块体衬底；埋置氧化物层，形成于该半导体块体衬底上；多个单元，各单元具有晶体管装置，形成于该埋置氧化物层上方；多条栅极电极线，穿过该多个单元并为该单元的该晶体管装置提供栅极电极；以及多个连接单元，经配置以电性接触该半导体块体衬底并被布置于与具有该晶体管装置的该多个单元下方或上方的位置不同的位置，其中，该多个连接单元的至少其中一个被布置于埋置边界单元之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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