[发明专利]二极管型红外阵列传感器像素级校准结构在审

专利信息
申请号: 201610837057.6 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN106500845A 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 赵毅强;赵公元;胡凯;夏显召;辛睿山 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及模拟集成电路领域,为实现减少探测器非均匀现象制约输出信号动态范围,提高成像系统信噪比。本发明采用的技术方案是,二极管型红外阵列传感器像素级校准结构,包含校准电流源阵列,所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成,每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流,并且独立调节电流大小,依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节,从而改变像素单元中二极管偏置点,实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。
搜索关键词: 二极管 红外 阵列 传感器 像素 校准 结构
【主权项】:
一种二极管型红外阵列传感器像素级校准结构,其特征是,包含校准电流源阵列,所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成,每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流,并且独立调节电流大小,依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节,从而改变像素单元中二极管偏置点,实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。
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