[发明专利]二极管型红外阵列传感器像素级校准结构在审
申请号: | 201610837057.6 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN106500845A | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 赵毅强;赵公元;胡凯;夏显召;辛睿山 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 刘国威 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及模拟集成电路领域,为实现减少探测器非均匀现象制约输出信号动态范围,提高成像系统信噪比。本发明采用的技术方案是,二极管型红外阵列传感器像素级校准结构,包含校准电流源阵列,所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成,每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流,并且独立调节电流大小,依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节,从而改变像素单元中二极管偏置点,实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。本发明主要应用于模拟集成电路设计制造场合。 | ||
搜索关键词: | 二极管 红外 阵列 传感器 像素 校准 结构 | ||
【主权项】:
一种二极管型红外阵列传感器像素级校准结构,其特征是,包含校准电流源阵列,所述校准电流源阵列由电流舵DAC单元构成,每个电流舵型DAC单元给一个像素提供偏置电流,并且独立调节电流大小,依靠电流舵DAC单元对每个像素偏置电流进行调节,从而改变像素单元中二极管偏置点,实现对工艺偏差导致的二极管工作点变化进行调节校准。
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