[发明专利]一种AlN外延层的制备方法在审
| 申请号： | 201610837299.5 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106252211A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 江灏;吴华龙 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高质量AlN外延层的制备方法，包括以下步骤：（1）将置于反应腔中的衬底进行高温烘烤；（2）沉积成核层前预铺TMAl或者TEAl；（3）沉积一层低温成核层，其中在低温成核层沉积阶段通入表面迁移改善剂以调节成核层晶粒的尺寸；（4）升温退火；（5）高温生长AlN外延层。本发明的技术方案对于AlN成核层的调节具有更加高效直接的特点。通过在成核层阶段通入少量的表面迁移改善剂，能够改善扩散原子Al的迁移能力，从而改变AlN的成核晶粒状态。相比现有技术，该方法能够规避成核层温度和反应源流量调节带来的其他附加影响，调节过程更加简单，改善效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 aln 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AlN外延层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将置于反应腔中的衬底进行高温烘烤，用于清洁衬底表面，同时在衬底表面形成利于外延生长的台阶；（2）在进行高温烘烤后的衬底上预铺TMAl或者TEAl；（3）沉积一层低温成核层，其中在低温成核层沉积阶段通入表面迁移改善剂以调节成核层晶粒的尺寸；（4）升温退火；（5）高温生长AlN外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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