[发明专利]一种采用钟控传输门自举绝热电路及四级反相器/缓冲器有效

专利信息
申请号: 201610837489.7 申请日: 2016-09-21
公开(公告)号: CN106452427B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 胡建平;余峰 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H03K19/0944 分类号: H03K19/0944
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 方小惠
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种采用钟控传输门自举绝热电路及四级反相器/缓冲器,采用钟控传输门自举绝热电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管,四级反相器/缓冲器包括四个采用钟控传输门自举绝热电路;优点是电路结构简单,延时和功耗都得到了降低,第一PMOS管和第二PMOS管构成钟控传输门自举绝热电路的输出端和第一时钟端之间的钟控传输门反馈通路,使得输出端的能量回收到功率时钟更加彻底,避免了因PMOS管阈值电压使得输出端不能完全回收到功率时钟去而引起能量损耗,功耗得到优化,本发明的四级反相器/缓冲器在不影响电路性能的基础上,延时、功耗和功耗延时积均较小。
搜索关键词: 一种 采用 传输 绝热 电路 四级反相器 缓冲器
【主权项】:
1.一种采用钟控传输门自举绝热电路,其特征在于包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管;所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第三NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的漏极、所述的第五NMOS管的栅极和所述的第六NMOS管的栅极连接且其连接端为所述的采用钟控传输门自举绝热电路的第一时钟端,所述的第一PMOS管的栅极、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第四PMOS管的漏极、所述的第二NMOS管的漏极、所述的第四NMOS管的源极和所述的第六NMOS管的漏极连接且其连接端为所述的采用钟控传输门自举绝热电路的输出端,所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二PMOS管的栅极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的第三NMOS管的源极、所述的第三PMOS管的漏极和所述的第五NMOS管的漏极连接且其连接端为采用钟控传输门自举绝热电路的反相输出端,所述的第三PMOS管的栅极和所述的第四PMOS管的栅极连接且其连接端为所述的采用钟控传输门自举绝热电路的第二时钟端,所述的第三PMOS管的源极、所述的第五NMOS管的源极和所述的第三NMOS管的栅极连接,所述的第四PMOS管的源极、所述的第六NMOS管的源极和所述的第四NMOS管的栅极连接,所述的第一NMOS管的栅极为所述的采用钟控传输门自举绝热电路的输入端,所述的第二NMOS管的栅极为所述的采用钟控传输门自举绝热电路的反相输入端,所述的第一NMOS管的源极和所述的第二NMOS管的源极均接地;所述的采用钟控传输门自举绝热电路的第一时钟端接入的时钟信号和所述的采用钟控传输门自举绝热电路的第二时钟端接入的时钟信号幅值相同,但是相位相差180度。
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