[发明专利]降低接触电阻的LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种降低接触电阻的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、生长SiInGaN/SiGaN超晶格层、降温冷却。如此方案，在生长生长掺杂Mg的P型GaN层之后，引入生长SiInGaN/SiGaN超晶格层的步骤，将SiInGaN/SiGaN超晶格层作为接触层，也就是说，在PGaN层和ITO之间插入一层功函数非常小的SiInGaN/SiGaN超晶格层，有效的降低了接触电阻，降低了LED的驱动电压，提升了LED的光效品质。

主权项

一种降低接触电阻的LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却，在所述生长掺杂Mg的P型GaN层之后，还包括：生长SiInGaN/SiGaN超晶格层，所述生长SiInGaN/SiGaN超晶格层为：保持反应腔压力300mbar‑600mbar、保持温度750℃‑850℃，通入流量为10sccm‑20sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的N₂、5sccm‑10sccm的SiH₄、1000sccm‑2000sccm的TMIn，生长SiInGaN/SiGaN超晶格层，所述生长SiInGaN/SiGaN超晶格层，具体为：保持反应腔压力300mbar‑600mbar、保持温度750℃‑850℃，通入流量为10sccm‑20sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的N₂、5sccm‑10sccm的SiH₄、1000sccm‑2000sccm的TMIn，生长厚度为1nm‑2nm的SiInGaN层，其中Si掺杂浓度为1E18atoms/cm³‑5E18atoms/cm³，In掺杂浓度为1E19atoms/cm³‑5E19atoms/cm³；保持反应腔压力300mbar‑600mbar、保持温度750℃‑850℃，通入流量为10sccm‑20sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的N₂、5sccm‑10sccm的SiH₄，生长厚度为1nm‑2nm的SiGaN层，其中，Si掺杂浓度为1E18atoms/cm³‑5E18atoms/cm³；周期性生长所述SiInGaN层和所述SiGaN层，生长周期为2‑4，生长所述SiInGaN层和生长所述SiGaN层的顺序可互换。