[发明专利]减少外延层位错密度的LED生长方法

摘要

本申请公开了一种减少外延层位错密度的LED生长方法，依次包括：溅射A1N薄膜、生长InMgN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、降温冷却。所述生长InMgN层，具体为：将溅射好A1N薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度至700℃‑800℃，将反应腔的压力维持在300mbar‑400mbar，通入100L/min‑130L/min的H₂、100L/min‑120L/min的NH₃、400sccm‑600sccm的TMIn、1000sccm‑3000sccm的Cp₂Mg，持续生长厚度为5μm‑7μm的InMgN层。

主权项

1.一种减少外延层位错密度的LED生长方法，其特征在于，依次包括：溅射A1N薄膜、生长InMgN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、降温冷却，所述溅射A1N薄膜，具体为：利用型号为iTop A230的直流磁控反应溅射设备将蓝宝石衬底温度加热到600℃‑900℃，通入50sccm‑70sccm的Ar、80sccm‑100sccm的N₂和2sccm‑3sccm的O₂，用2000V‑3000V的偏高压冲击铝靶，在蓝宝石衬底表面上溅射厚度为50nm‑60nm的A1N薄膜；所述生长InMgN层，具体为：将溅射好A1N薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度至700℃‑800℃，将反应腔的压力维持在300mbar‑400mbar，通入100L/min‑130L/min的H₂、100L/min‑120L/min的NH₃、400sccm‑600sccm的TMIn、1000sccm‑3000sccm的Cp₂Mg，在所述A1N薄膜上持续生长厚度为5μm‑7μm的InMgN层，使所述InMgN层位于所述A1N薄膜和所述掺杂Si的N型GaN层之间，并使所述A1N薄膜和所述InMgN层共同构成组合膜层；所述生长掺杂Si的N型GaN层，具体为：升高温度到1000℃‑1100℃，将反应腔压力维持在150mbar‑300mbar，通入50L/min‑90L/min的H₂、40L/min‑60L/min的NH₃、200sccm‑300sccm的TMGa源、20sccm‑50sccm的SiH₄源，持续生长厚度为2μm‑4μm的掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E18atoms/cm³‑1E19atoms/cm³。