[发明专利]提高抗静电能力的LED生长方法

摘要

本申请公开了一种提高抗静电能力的LED生长方法，依次包括：溅射A1N薄膜、生长SiGaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、降温冷却。如此方案，采用新的AlN、SiGaN材料取代原来的低温GaN、2D GaN、3D GaN材料，获得一种新的材料以及生长工艺，目的是通过采用新材料新工艺减少外延层位错密度，提高外延层晶体质量，提高器件的抗静电能力，提升LED的产品质量。

主权项

1.一种提高抗静电能力的LED生长方法，其特征在于，依次包括：溅射A1N薄膜、生长SiGaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、降温冷却，所述溅射A1N薄膜，具体为：利用型号为iTop A230的直流磁控反应溅射设备将蓝宝石衬底温度加热到500℃‑700℃，通入70sccm‑90sccm的Ar、100sccm‑120sccm的N2和2sccm‑3sccm的O2，用2000V‑3000V的偏高压冲击铝靶，在蓝宝石衬底表面上溅射厚度为60nm‑70nm的A1N薄膜；所述生长SiGaN层，具体为：将溅射好A1N薄膜的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，升高温度至800℃‑900℃，将反应腔的压力维持在300mbar‑400mbar，通入130L/min‑150L/min的H2、25000sccm‑30000sccm的NH3、200sccm‑300sccm的TMGa、10sccm‑20sccm的SiH4，持续生长厚度为9μm‑11μm的SiGaN层，Si掺杂浓度为1E18atoms/cm3‑5E18atoms/cm3；所述生长掺杂Si的N型GaN层，具体为：升高温度到1000℃‑1100℃，将反应腔压力维持在150mbar‑300mbar，通入50L/min‑90L/min的H2、40L/min‑60L/min的NH3、200sccm‑300sccm的TMGa源、20sccm‑50sccm的SiH4源，持续生长厚度为2μm‑4μm的掺杂Si的N型GaN，Si掺杂浓度5E18atoms/cm3‑1E19atoms/cm3。