[发明专利]用于气相沉积的三叔丁基铝反应剂有效
申请号: | 201610837765.X | 申请日: | 2016-09-20 |
公开(公告)号: | CN106560527B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | E·J·希罗;M·E·韦尔盖塞 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32 |
代理公司: | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供铝(Al)烃前驱组合物,其可用于过渡金属碳化物薄膜,例如掺铝过渡金属碳化物薄膜,诸如掺铝碳化钛薄膜的气相沉积。在一些实施方案中,所述前驱组合物包含三叔丁基铝(TTBA)的一种或多种异构体。具体来说,在一些实施方案中,所述前驱组合物包含至少70%TTBA的异构体1,其中异构体1具有式Al(叔丁基) | ||
搜索关键词: | 用于 沉积 丁基 反应 | ||
【主权项】:
1.一种在反应空间中的基板上沉积过渡金属碳化物薄膜的方法,所述方法包括:/n使所述基板与第一气相反应剂接触,所述第一气相反应剂通过使包含三(2-甲基-2-丙基)铝(TTBA)的第一前驱组合物汽化而形成,其中至少70%的所述TTBA为异构体1的形式,其中异构体1具有式Al(叔丁基)
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的