[发明专利]一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法有效
| 申请号： | 201610838384.3 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106381462B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 田晓东;孙志平;王利捷 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C23C8/36 | 分类号： | C23C8/36;C23C8/02 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法，包括以下步骤：一、对钼基体依次进行打磨、超声波清洗、流水冲洗和烘干处理；二、对烘干后的钼基体进行离子轰击清洗；三、采用二硫化碳和氩气的混合气体为含硫气体，然后向离子氮化炉内通入含硫气体，对钼基体进行离子渗硫处理，在钼基体的表面得到二硫化钼渗层。本发明采用二硫化碳和氩气的混合气体为含硫气体，通过对离子轰击清洗后的钼表面进行渗硫处理，在钼表面得到组织均匀致密的二硫化钼渗层，能够显著提高钼的耐磨性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 离子 制备 二硫化钼 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钼表面离子渗硫制备二硫化钼渗层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、对钼基体的表面进行打磨处理，然后将打磨处理后的钼基体置于超声波清洗仪中进行超声波清洗，之后对超声波清洗后的钼基体进行流水冲洗后烘干；步骤二、将步骤一中烘干后的钼基体置于离子氮化炉中，然后对离子氮化炉进行抽真空处理，直至使离子氮化炉内的压力不大于10Pa为止，之后向抽真空后的离子氮化炉内通入氩气，直至使离子氮化炉内的压力不小于20Pa为止，接着对烘干后的钼基体的表面进行离子轰击清洗；步骤三、向离子氮化炉内通入含硫气体，在含硫气体的流量为0.05L/min~0.1L/min，离子氮化炉内温度为800℃~900℃的条件下，对步骤二中离子轰击清洗后的钼基体进行离子渗硫处理，随炉冷却后在钼基体的表面得到二硫化钼渗层；所述含硫气体为二硫化碳和氩气按体积比3∶(1~2)混合均匀而成的混合气体；步骤三中所述离子渗硫处理的时间为60min~120min；步骤三中所述离子渗硫处理的电流为1.5A~2.0A。
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