[发明专利]一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法

摘要

本发明涉及一种大容量存储控制技术，具体地说是涉及一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。该方法进行读写时，可识别坏块、躲避坏块、均衡写入，保证所有的块的写入次数一致，以保证整个存储器的寿命均衡的NandFlash存储器读写。由于采用上述技术方案，本发明的方法具有计算量小、需要内存小的特点，适合适用于同一时间单一文件操作的应用场合，对系统硬件、软件需求低，能为这种低成本、低功耗的嵌入式系统的操作提供完整的文件系统方案。

主权项

一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：写入步骤为：第一步：在NandFlash地址空间内建立一张新的文件信息表,读取其他所有文件信息表，确定新的文件的写入起始地址；第二步：判断文件写入起始地址是否正好处于一个块的起始地址，如果是则要对其擦除，判断擦除操作返回状态，如果返回错误，则表明该块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，并更新坏块登记表；第三步：待写入的数据存入内存的数据缓冲区，若已存够一页内容，则写入存储器中，一次写满一页，如果不够一页则继续写入；判断写操作返回状态，如果返回错误，则表明该页所处的块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，更新坏块登记表，并将坏块当前页和它之前页的内容复制到新块中；如果页写入成功，则进行第四步；第四步：更新文件信息表，包含文件存储起始和结束地址、文件大小、文件更新时间；第五步，重复第三步，直到用户结束写操作，检查数据缓冲区中是否还有剩余数据，若有则将缓冲区中所有数据写入到存储器， 缓冲区未填满的内容用字节填充；第六步：更新文件信息表，结束文件写入操作；读取步骤为：第一步：读取文件信息表，已确定文件存储的起始地址和结束地址；第二步：判断起始地址是否为新的块地址，若是则执行第三步，否则执行第四步；第三步：判断准备读入的块是否为坏块，若是，则查找其替换块的地址；第四步：以页为单位读出，根据文件信息表判断文件是否读入完毕，若完毕则结束，否则继续；第五步：判断块内容是否全部页都读出，若没有则将页地址加1，继续执行第四步，否则执行第六步；第六步：将块地址加1，继续执行第三步。