[发明专利]一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法在审
| 申请号： | 201610839445.8 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106431419A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张浩;崔嵩;党军杰;郭军;刘俊永;史常东 | 申请（专利权）人： | 合肥圣达电子科技实业有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/582 | 分类号： | C04B35/582;C04B35/622 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人： | 娄岳;金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：配料：称取高纯度氮化铝粉体，氧化钇烧结助剂，有机溶剂以及添加剂，并混合均匀；生坯制备：采用流延成型与等静压工艺相结合的方法获得生坯；脱脂：使用氢气/氮气混合气氛，脱脂温度400～1000℃；烧结：温度1750～1950℃，烧结时间3～40h。本发明采用单一氧化钇烧结助剂、规模化流延、脱脂过程使用氢气/氮气混合气氛能够有效的控制脱脂后生坯中的碳和氧元素含量、常压烧结，所得氮化铝陶瓷热导率180W/m.K～268W/m.K，工艺简单、产品性能好、生产成本低、易产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 微电子 器件 导热 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率微电子器件用高导热氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）配料：称取高纯度氮化铝粉体、氧化钇烧结助剂、有机溶剂以及添加剂，并混合均匀；2）生坯制备：采用流延成型与等静压工艺相结合的方法获得生坯；3）脱脂：采用氢气/氮气混合气氛进行脱脂，脱脂温度400～1000℃，脱脂时间15～50h；4）烧结：将脱脂后的生坯进行常压烧结，烧结温度1750～1950℃，烧结时间3～40h。
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