[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤依序形成栅极、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物半导体层、第一蚀刻阻挡层、第二蚀刻阻挡层及光刻胶结构；以光刻胶结构为掩模，图案化第二蚀刻阻挡层、第一蚀刻阻挡层及金属氧化物半导体层，以形成准第二蚀刻阻挡图案、准第一蚀刻阻挡图案及金属氧化物半导体图案；以残留的光刻胶结构的厚部为掩模，图案化准第二蚀刻阻挡图案及准第一蚀刻阻挡图案，以形成第二蚀刻阻挡图案及第一蚀刻阻挡图案，并移除部分的第二绝缘层，以形成绝缘图案；形成源极与漏极。本发明的薄膜晶体管的制造方法能提高薄膜晶体管的产出，且本发明的薄膜晶体管具高良率。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极；在所述基板及所述栅极上依序形成第一绝缘层、第二绝缘层、氧化物半导体层、第一蚀刻阻挡层、第二蚀刻阻挡层以及光刻胶结构，所述光刻胶结构具有厚部及薄部，其中所述第一蚀刻阻挡层与所述第二绝缘层相对于所述第二蚀刻阻挡层具有刻蚀选择性，且所述第一绝缘层相对于所述第一蚀刻阻挡层与所述第二绝缘层具有刻蚀选择性；以所述光刻胶结构为掩模，图案化所述第二蚀刻阻挡层以及所述第一蚀刻阻挡层，以形成准第二蚀刻阻挡图案以及准第一蚀刻阻挡图案；图案化所述氧化物半导体层，以形成氧化物半导体图案；进行灰化工序，以移除所述光刻胶结构的所述薄部并保留部分的所述厚部；以所述部分的所述厚部为掩模，图案化所述准第二蚀刻阻挡图案，以形成第二蚀刻阻挡图案，所述第二蚀刻阻挡图案暴露部分的所述准第一蚀刻阻挡图案以及未被所述氧化物半导体图案覆盖的部分的所述第二绝缘层；以所述部分的所述厚部为掩模，图案化所述准第一蚀刻阻挡图案，以形成第一蚀刻阻挡图案，并移除未被所述氧化物半导体图案覆盖的所述部分的所述第二绝缘层，以形成绝缘图案；以及在所述第一蚀刻阻挡图案及所述第二蚀刻阻挡图案上形成源极与漏极，所述源极与所述漏极分别与所述氧化物半导体图案的两侧电性连接。