[发明专利]一种掺杂的氧化锆薄膜、QLED及制备方法有效
| 申请号： | 201610840704.9 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106299063B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种掺杂的氧化锆薄膜、QLED及制备方法。制备方法包括步骤：在锆的醇盐中加入铌的醇盐、钛的醇盐、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后将混合液沉积到含有底电极的衬底上，再退火处理，以在含有底电极的衬底上生成掺杂的氧化锆薄膜。本发明通过在氧化锆中掺杂氮、钛或者铌元素使得氧化锆中产生更多的施主中心，进而提高氧化锆的电子迁移率；同时通过将氧化锆中掺杂其它元素，也可以改变氧化锆功函数，使其可匹配更多的量子点能级，可广泛应用在QLED器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锆 薄膜 qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂的氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：在锆的醇盐中加入铌的醇盐、钛的醇盐、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后将混合液沉积到含有底电极的衬底上，再退火处理，以在含有底电极的衬底上生成掺杂的氧化锆薄膜。
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